TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
60
4.5V
3V
40
V DS = 5V
50
40
2.5V
30
30
2V
20
20
10
10
0
V GS =1.5V
0
125 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
26
V DS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
1.6
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
25
24
23
V GS = 2.5V
V GS = 3.1V
1.4
1.2
V GS = 4.5V
I D = 6A
22
21
20
V GS = 4.0V
1.0
19
0
4
8
V GS = 4.5V
I F 16 20
12 =-6.5A, dI/dt=100A/ μ s
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
55
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I D = 6.0A
1E+02
1E+01
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
45
35
1E+00
1E-01
1E-02
125 ° C
125 ° C
1E-03
25 ° C
25
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
1E-04
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
25 ° RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
FUNCTIONS AND
15
C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1E-05
1E-06
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Rev.1.0: February 2014
www.aosmd.com
Page 1 of 5
相关PDF资料
AO7410 MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70
AOB1606L MOS N CH 60V 178A TO263
AOB411L MOSFET P-CH 60V 8A TO263
AOD458 MOSFET N CH 250V 14A TO252
AOK42S60L MOSFET N-CH 600V 39A TO247
AON2405 MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B
AON6232 MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
AON6244 MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6
相关代理商/技术参数
AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1
AO6810 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A TSOP-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6810_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET
AO7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AO7400L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO7401 功能描述:MOSFET P-CH -30V -1.2A SC70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AO7401_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO7401L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: